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Nd:YVO4クリスタル

簡単な説明:

Nd:YVO4(ネオジムをドープしたバナジウム酸イットリウム)は、ダイオードポンプ固体レーザー、特に出力密度が低いまたは中程度のレーザーに最適な市販材料の1つです。たとえば、Nd:YVO4は、ハンドヘルドポインターや他のコンパクトレーザーで低出力ビームを生成するためにNd:YAGよりも優れた選択肢です...


製品の詳細

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Nd:YVO4 (ネオジムをドープしたバナジウム酸イットリウム)は、ダイオードポンプ固体レーザー、特に出力密度が低いまたは中程度のレーザーに最適な市販材料の1つです。たとえば、Nd:YVO4 ハンドヘルドポインターや他のコンパクトレーザーで低出力ビームを生成するには、Nd:YAGよりも優れた選択肢です。これらのアプリケーションでは、Nd:YOV4 Nd:YAGに比べていくつかの利点があります。たとえば、励起されたレーザー照射の高い吸収と大きな誘導放出断面積です。

Nd:YVO4 輝線はその代替の輝線よりもはるかに強いため、1342 nmでの高度に偏光された出力に適しています。Nd:YVO4 は、NLO係数が高い非線形結晶(LBO、BBO、KTP)と連携して、近赤外から緑、青、さらにはUVまでの光を生成できます。

Nd:YVOのアプリケーションに最適なソリューションについては、お問い合わせください4 結晶。

WISOPTIC機能-Nd:YVO4

•Ndドーピング比のさまざまなオプション(0.1%〜3.0at%)

•さまざまなサイズ(最大直径:16×16 mm2; 最大長さ:20 mm)

•さまざまなコーティング(AR、HR、HT)

•高い処理精度

•非常に競争力のある価格、短納期

WISOPTIC標準仕様* -Nd:YVO4

ドーピング比 Nd%= 0.2%〜3.0at%
向きの許容差 +/- 0.5°
絞り 1×1 mm2〜16×16 mm2
長さ 0.02 mm〜20 mm
寸法公差 (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L + 0.5 / -0.1mm)(L≥2.5mm)
(W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L + 0.2 / -0.1mm)(L <2.5mm)
平面度 <λ/ 8 @ 632.8 nm(L≥2.5mm)
<λ/ 4 @ 632.8 nm(L <2.5mm)
表面品質 20/10未満[S / D]
並列処理 20インチ未満
垂直性 ≤5 '
面取り ≤0.2 mm @ 45°
透過波面歪み <λ/ 4 @ 632.8 nm
絞りをクリアする > 90%中央エリア
コーティング AR @ 1064nm、R <0.1%&HT @ 808nm、T> 95%;
HR @ 1064nm、R> 99.8%&HT @ 808nm、T> 95%;
HR @ 1064nm、R> 99.8%、HR @ 532 nm、R> 99%&HT @ 808 nm、T> 95%
レーザー損傷閾値 > 700 MW / cm2 1064 nm、10 ns、10 Hz(ARコーティング)
*ご要望に応じて特別な要件がある製品。
20170814140547
ns-yv041
Nd-YVO4-1

Nd:YVOの利点4 (Nd:YAGと比較)

•808 nm前後のより広いポンピング帯域幅(Nd:YAGの5倍)

•1064nmでの大きな誘導放出断面積(Nd:YAGの3倍)

•レーザー損傷しきい値が低く、スロープ効率が高い

•Nd:YAG、Nd:YVOとは異なります4 直線偏光された発光を与える単軸結晶であり、熱的に誘発される冗長な複屈折を回避します。 

Nd:YVOのレーザー特性4 vs Nd:YAG

結晶

ドーピング(atm%)

σ
(×10-19CM2

α(cm-1

τ(μs)

Lα (んん)

P番目 (mW)

ηs (%)

Nd:YVO4
(カット)

1.0

25

31.2

90

0.32

30

52

2.0

25

72.4

50

0.14

78

48.6

Nd:YVO4
(cカット)

1.1

7

9.2

90

231

45.5

Nd:YAG

0.85

6

7.1

230

1.41

115

38.6

 σ-誘導放出断面積、α-吸収係数、τ-蛍光寿命
Lα - 吸収長、P番目 -しきい値電力、ηs -ポンプ量子効率

物理的性質-Nd:YVO4

原子密度 1.26x1020 原子/ cm2 (Nd%= 1.0%)
結晶構造 ジルコン正方、空間グループD4時間-I4 / amd
a = b = 7.1193Å、c = 6.2892Å
密度 4.22 g / cm2
モース硬度 4.6〜5(ガラス状) 
熱膨張係数(300K) αa= 4.43x10-6/ K、αc= 11.37x10-6/ K
熱伝導係数(300K) || c:5.23 W /(m・K); ⊥c:5.10 W /(m・K)
融点 1820℃

光学特性-Nd:YVO4

発振波長 914 nm、1064 nm、1342 nm
屈折率 正の一軸性、no= na= nb んe= nc
o= 1.9573、ne= 2.1652 @ 1064 nm
o= 1.9721、ne= 2.1858 @ 808 nm
o= 2.0210、ne= 2.2560 @ 532 nm
熱光学係数(300K) dno/dT=8.5x10-6/ K、dne/dT=3.0x10-6/ K
誘導放出断面積 25.0x10-19 CM2 @ 1064 nm
蛍光寿命 90 μs(1.0at%Ndドープ)@ 808 nm
吸収係数 31.4センチ-1 @ 808 nm
吸収長 0.32 mm @ 808 nm
本質的な損失 0.02センチ-1 @ 1064 nm
ゲイン帯域幅 0.96 nm(257 GHz)@ 1064 nm
偏光レーザー放射 光軸(c軸)に平行
ダイオード励起光から光効率 > 60%

偏光放射

分極


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