Nd:YVO4クリスタル
Nd:YVO4 (ネオジムをドープしたバナジウム酸イットリウム)は、ダイオードポンプ固体レーザー、特に出力密度が低いまたは中程度のレーザーに最適な市販材料の1つです。たとえば、Nd:YVO4 ハンドヘルドポインターや他のコンパクトレーザーで低出力ビームを生成するには、Nd:YAGよりも優れた選択肢です。これらのアプリケーションでは、Nd:YOV4 Nd:YAGに比べていくつかの利点があります。たとえば、励起されたレーザー照射の高い吸収と大きな誘導放出断面積です。
Nd:YVO4 輝線はその代替の輝線よりもはるかに強いため、1342 nmでの高度に偏光された出力に適しています。Nd:YVO4 は、NLO係数が高い非線形結晶(LBO、BBO、KTP)と連携して、近赤外から緑、青、さらにはUVまでの光を生成できます。
Nd:YVOのアプリケーションに最適なソリューションについては、お問い合わせください4 結晶。
WISOPTIC機能-Nd:YVO4
•Ndドーピング比のさまざまなオプション(0.1%〜3.0at%)
•さまざまなサイズ(最大直径:16×16 mm2; 最大長さ:20 mm)
•さまざまなコーティング(AR、HR、HT)
•高い処理精度
•非常に競争力のある価格、短納期
WISOPTIC標準仕様* -Nd:YVO4
ドーピング比 | Nd%= 0.2%〜3.0at% |
向きの許容差 | +/- 0.5° |
絞り | 1×1 mm2〜16×16 mm2 |
長さ | 0.02 mm〜20 mm |
寸法公差 | (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L + 0.5 / -0.1mm)(L≥2.5mm) (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L + 0.2 / -0.1mm)(L <2.5mm) |
平面度 | <λ/ 8 @ 632.8 nm(L≥2.5mm) <λ/ 4 @ 632.8 nm(L <2.5mm) |
表面品質 | 20/10未満[S / D] |
並列処理 | 20インチ未満 |
垂直性 | ≤5 ' |
面取り | ≤0.2 mm @ 45° |
透過波面歪み | <λ/ 4 @ 632.8 nm |
絞りをクリアする | > 90%中央エリア |
コーティング | AR @ 1064nm、R <0.1%&HT @ 808nm、T> 95%; HR @ 1064nm、R> 99.8%&HT @ 808nm、T> 95%; HR @ 1064nm、R> 99.8%、HR @ 532 nm、R> 99%&HT @ 808 nm、T> 95% |
レーザー損傷閾値 | > 700 MW / cm2 1064 nm、10 ns、10 Hz(ARコーティング) |
*ご要望に応じて特別な要件がある製品。 |
Nd:YVOの利点4 (Nd:YAGと比較)
•808 nm前後のより広いポンピング帯域幅(Nd:YAGの5倍)
•1064nmでの大きな誘導放出断面積(Nd:YAGの3倍)
•レーザー損傷しきい値が低く、スロープ効率が高い
•Nd:YAG、Nd:YVOとは異なります4 直線偏光された発光を与える単軸結晶であり、熱的に誘発される冗長な複屈折を回避します。
Nd:YVOのレーザー特性4 vs Nd:YAG
結晶 |
ドーピング(atm%) |
σ |
α(cm-1) |
τ(μs) |
Lα (んん) |
P番目 (mW) |
ηs (%) |
Nd:YVO4 |
1.0 |
25 |
31.2 |
90 |
0.32 |
30 |
52 |
2.0 |
25 |
72.4 |
50 |
0.14 |
78 |
48.6 |
|
Nd:YVO4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
— |
231 |
45.5 |
Nd:YAG |
0.85 |
6 |
7.1 |
230 |
1.41 |
115 |
38.6 |
σ-誘導放出断面積、α-吸収係数、τ-蛍光寿命 Lα - 吸収長、P番目 -しきい値電力、ηs -ポンプ量子効率 |
物理的性質-Nd:YVO4
原子密度 | 1.26x1020 原子/ cm2 (Nd%= 1.0%) |
結晶構造 | ジルコン正方、空間グループD4時間-I4 / amd a = b = 7.1193Å、c = 6.2892Å |
密度 | 4.22 g / cm2 |
モース硬度 | 4.6〜5(ガラス状) |
熱膨張係数(300K) | αa= 4.43x10-6/ K、αc= 11.37x10-6/ K |
熱伝導係数(300K) | || c:5.23 W /(m・K); ⊥c:5.10 W /(m・K) |
融点 | 1820℃ |
光学特性-Nd:YVO4
発振波長 | 914 nm、1064 nm、1342 nm |
屈折率 | 正の一軸性、no= na= nb んe= nc んo= 1.9573、ne= 2.1652 @ 1064 nm んo= 1.9721、ne= 2.1858 @ 808 nm んo= 2.0210、ne= 2.2560 @ 532 nm |
熱光学係数(300K) | dno/dT=8.5x10-6/ K、dne/dT=3.0x10-6/ K |
誘導放出断面積 | 25.0x10-19 CM2 @ 1064 nm |
蛍光寿命 | 90 μs(1.0at%Ndドープ)@ 808 nm |
吸収係数 | 31.4センチ-1 @ 808 nm |
吸収長 | 0.32 mm @ 808 nm |
本質的な損失 | 0.02センチ-1 @ 1064 nm |
ゲイン帯域幅 | 0.96 nm(257 GHz)@ 1064 nm |
偏光レーザー放射 | 光軸(c軸)に平行 |
ダイオード励起光から光効率 | > 60% |
偏光放射 |
分極 |