BBOクリスタル
BBO(ẞ-BaB2O4)は、多くのユニークな機能を組み合わせた優れた非線形結晶です。広い透明領域、広い位相整合範囲、大きな非線形係数、高い損傷しきい値、優れた光学的均一性です。したがって、BBOは、OPA、OPPCA、OPOなどのさまざまな非線形光学アプリケーションに魅力的なソリューションを提供します。
BBOは、熱受容帯域幅が大きく、損傷しきい値が高く、吸収が小さいという利点もあるため、Nd:YAG、Ti:サファイア、アレキサンドライトのレーザー放射の高調波発生など、高ピークまたは平均出力のレーザー放射の周波数変換に非常に適しています。BBOは、213 nmでのNd:YAGレーザーの5次高調波発生に最適なNLOクリスタルです。良好なレーザービーム品質(小さな発散、良好なモード状態など)は、BBOが高い変換効率を得るための鍵です。
さらに、広いスペクトル透過範囲と特にUV範囲での位相整合により、BBOは染料、アルゴンイオン、銅蒸気レーザー放射の周波数倍増に完全に適しています。タイプ1(oo-e)とタイプ2(eo-e)の両方の位相整合角度が得られるため、BBOのさまざまなアプリケーションの利点が増えます。
BBOクリスタルの用途に最適なソリューションについては、お問い合わせください。
WISOPTIC機能-BBO
•絞り:1x1〜15x15 mm
•長さ:0.02〜25 mm
•最終構成:フラット、またはブリュースター、または指定
•最高の加工(研磨、コーティング)品質
•取り付け:リクエストに応じて
•非常に競争力のある価格
WISOPTIC標準仕様* -BBO
寸法公差 | ±0.1 mm |
角度許容差 | <±0.25° |
平面度 | <λ/ 8 @ 632.8 nm |
表面品質 | <10/5 [S / D] |
並列処理 | 20インチ未満 |
垂直性 | ≤5 ' |
面取り | ≤0.2 mm @ 45° |
透過波面歪み | <λ/ 8 @ 632.8 nm |
絞りをクリアする | > 90%中央エリア |
コーティング | AR @ 1064nm(R <0.2%); PR |
レーザー損傷閾値 | > 1 GW / cm2 1064nm、10ns、10Hz(研磨のみ) > 0.5 GW / cm2 1064 nm、10 ns、10 Hz(ARコーティング) > 0.3 GW / cm2 532 nm、10 ns、10 Hz(ARコーティング) |
*ご要望に応じて特別な要件がある製品。 |
主な機能-BBO
•広い透過範囲(189〜3500 nm)
•幅広い位相整合範囲(410〜3500 nm)
•高い光学的均一性(δn≈10-6/CM)
•有効SHG係数が比較的大きい(KDPの約6倍)
•高い損傷しきい値(KTPおよびKDPと比較)
バルク損傷しきい値の比較[1064nm、1.3ns]
結晶 |
エネルギーフルエンス(J /cm²) |
電力密度(GW /cm²) |
KTP |
6.0 |
4.6 |
KDP |
10.9 |
8.4 |
BBO |
12.9 |
9.9 |
LBO |
24.6 |
18.9 |
主な用途-BBO
•NdドープYAGおよびYLFレーザーの2〜5 HG(高調波発生)。
•2〜4 HGのTi:サファイアとアレキサンドライトレーザー。
•色素レーザーの周波数ダブラー、トリプラー、およびウェーブミキサー。
•アルゴンイオン、ルビー、および銅蒸気レーザーの周波数ダブラー。
•タイプIとタイプIIの両方の位相整合の、幅広く調整可能なOPO、OPA、OPPCA。
物性-BBO
化学式 | ẞ-BaB2O4 |
結晶構造 | 三角 |
ポイントグループ | 3メートル |
スペースグループ | R3c |
格子定数 | a=b= 12.532Å、 c= 12.717Å |
密度 | 3.84 g / cm3 |
融点 | 1096°C |
モース硬度 | 4 |
熱伝導率 | 1.2 W /(m・K)(┴c); 1.6 W /(m・K)(//c) |
熱膨張係数 | 4x10-6/ K(┴c); 36x10-6/ K(//c) |
吸湿性 | 吸湿性 |
光学特性-BBO
透明領域 (「0」の透過率レベルで) |
189〜3500 nm | |||
屈折率 | 1064 nm | 532 nm | 266 nm | |
んe= 1.5425 んo= 1.6551 |
んe= 1.5555 んo= 1.6749 |
んe= 1.6146 んo= 1.7571 |
||
線形吸収係数 |
532 nm |
1064 nm |
||
α= 0.01 / cm | α<0.001 / cm | |||
NLO係数 |
532 nm | 1064 nm | ||
d22 = 2.6 pm / V | d22 = 2.2 pm / V | |||
電気光学係数 |
低頻度 | 高周波 | ||
2.2 pm / V | 2.1 pm / V | |||
熱光学係数 | dんo/ dT= -16.6x10-6/℃、dんe/ dT= -9.3x10-6/℃ | |||
半波電圧 | 7 kV(1064 nm、3x3x20 mm)3) |