と比べて通常のLN結晶（CLN）同じ組成で、近くにリチウムが不足している-化学量論LN結晶（SLN）格子欠陥の大幅な減少につながり、それに応じて多くの特性が変化します。次の表に主なものを示しますの違い物理的特性。
CLNとSLNのプロパティの比較
| 財産 | CLN | SLN |
| 複屈折/ 633nm | -0.0837 | -0.0974（Li2O = 49.74mol％） |
| EO係数/ pm••V-1 | r61= 6.07 | r61= 9.89（Li2O = 49.95mol％） |
| 非線形係数/pm••V-1 | d33= 19.5 | d33= 23.8 |
| フォトリフラクティブ飽和 | 1×10-5 | 10×10-5 （李2O = 49.8mol％） |
| フォトリフラクティブ応答時間/秒 | 数百 | 〜0.6（Li2O = 49.8mol％、鉄ドープ） |
| フォトリフラクティブ抵抗/ kW••cm-2 | 100 | 104 (Li2O = 49.5-48.2mol％、1.8mol％MgOドープ) |
| ドメインフリップ電界強度/ kV••mm-1 | 21 | 5 （李2O = 49.8mol％） |
と比べてCLN同じ組成で、のほとんどの特性SLNさまざまな程度に改善されています。より重要な最適化には次のものが含まれます。
(1) Wフォトリフラクティブドーピング、フォトリフラクティブ防止ドーピング、またはレーザー活性化イオンドーピングのいずれか、SLNはより敏感なパフォーマンス調整効果。Kong etal。[Li] / [Nb]が0.995に達し、マグネシウム含有量が1.0mol％の場合、SLN26MW / cmに達することができます2、これは6桁高いCLN同じ構成で。フォトリフラクティブドーピングとレーザー活性化イオンドーピングも同様の効果があります。
（2）格子欠陥の数としてSLN結晶が大幅に減少し、結晶の保磁力が低下し、分極反転に必要な電圧が約21 kV / mmから減少します。（CLNの）約5kV / mmまで。これは、超格子デバイスの準備に非常に役立ちます。さらに、の電気ドメイン構造SLNより規則的で、磁壁はより滑らかです。
（3）多くの光電の性質SLN電気光学係数なども大幅に改善されていますr6163％増加、非線形係数が22％増加、結晶複屈折が43％増加（波長632.8 nm）、青方偏移UVの吸収端等
WISOPTICは社内でSLN（化学量論に近いLN）結晶を開発しています（www.wisoptic.com）
投稿時間：1月11日-2022年