製品

KTPポッケルスセル

簡単な説明:

熱水法によって開発されたHGTR(高アンチグレートラック)KTP結晶は、フラックス成長KTPのエレクトロクロミズムの一般的な現象を克服し、高電気抵抗、低挿入損失、低半波電圧、高レーザー損傷などの多くの利点がありますしきい値、および広い伝送帯域。


製品の詳細

商品タグ

熱水法によって開発されたHGTR(高アンチグレートラック)KTP結晶は、フラックス成長KTPのエレクトロクロミズムの一般的な現象を克服し、高電気抵抗、低挿入損失、低半波電圧、高レーザー損傷などの多くの利点がありますしきい値、および広い伝送帯域。

HGTR-KTP結晶で製造されたKTPポッケルスセルは、主に狭いパルス幅と高い繰り返し周波数のパルスレーザーで使用されます。KTPポッケルスセルは、高い繰り返し周波数で高い消光比、低い半波電圧、圧電リンギング効果の利点を提供し、レーザー測距、レーザーライダー、医療用レーザー、産業用レーザーなどで広く使用されています。

WISOPTICは、KTPポッケルスセルの技術コンサルティング、設計サービス、カスタマイズされたテストサンプル、および高速配信標準製品を提供しています。

KTPポッケルスセルのアプリケーションに最適なソリューションについては、お問い合わせください。

KTPポッケルスセルのWISOPTICの利点

•広い光学帯域幅(0.5-3μm)

•低挿入損失

•低半波電圧

•低い動作電圧

•高い消光比

•非常に高いレーザー損傷しきい値

•圧電リンギング効果なし

•超高速電圧ドライバーを備えた高繰り返し率レーザーでの正確なスイッチング

•広い温度範囲で動作するように熱補償された設計

•コンパクトなデザイン、取り付けと調整が非常に簡単

•高耐環境性と長寿命の高品質KTPクリスタル

KTPポッケルスセルのWISOPTICテクニカルデータ

KTPのペアの一方のサイズ

(んん)

Xカット

Yカット

電気抵抗率

(オーム・cm)

HWV @ 1064nm

(V)

消光比

@ 633nm(dB)

HWV @ 1064nm

(V)

消光比

@ 633nm(dB)

3×3×10

1200

> 20

1000

> 20

> 1011

4×4×10

1600

> 20

1300

> 20

> 1011

5×5×10

2000年

> 20

1600

> 20

> 1011

6×6×10

2300

> 20

1900

> 20

> 1011

7×7×10

2700

> 20

2200

> 20

> 1011

8×8×10

3100

> 20

2500

> 20

> 1011

9×9×10

3500

> 20

2800

> 20

> 1011

ダメージしきい値: > 600 MW / cm2 10 nsパルス@ 1064 nm(ARコーティング)

KTP ポッケルスセル 100kHzで働く 

54531

  • 前:
  • 次:

  • 関連製品